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2022-04
雖然在整流橋和輸入電容之間加一個(gè)二極管可以準(zhǔn)確檢測(cè)過(guò)零信號(hào)，但在更大的功率電路中，D17的損耗會(huì)更大，會(huì)降低整個(gè)系統(tǒng)的效率。那么如何提高效率呢？MP28167GQ-Z電源管理芯片加了二極管D17后，過(guò)零檢測(cè)采樣點(diǎn)被D17和輸入電解電容隔開(kāi)，過(guò)零采樣電
2022-04
MP2939GQK-Z電源管理芯片的電路用于需要交流輸入和MCU電氣隔離的系統(tǒng)中，并使用光耦對(duì)過(guò)零信號(hào)進(jìn)行采樣?？梢院芎玫牟杉^(guò)零信號(hào)，過(guò)零檢測(cè)就OK了。對(duì)于MP2939GQK-Z電源管理芯片電路結(jié)構(gòu)，應(yīng)注意R4電阻的值。如果R4電阻過(guò)大，光耦會(huì)延遲
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在這種情況下，N 和 GND 被 D2 隔開(kāi)，因?yàn)檩斎腚娊怆娙莸哪芰看鎯?chǔ)，D1 和 D2 并不總是導(dǎo)通。當(dāng)D1和D2導(dǎo)通時(shí)，即對(duì)輸入電解電容進(jìn)行交流充電時(shí)，L對(duì)GND的電壓為一定值，在D1和D2處截止。當(dāng)L對(duì)GND電壓處于不確定狀態(tài)時(shí)，三極管的基極無(wú)
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控制電路是整體的核心，電源管理芯片是這個(gè)控制電路的核心部件。電源管理芯片的同步整流DCM模式的優(yōu)缺點(diǎn)如下：優(yōu)點(diǎn)：算法簡(jiǎn)單可靠，外圍簡(jiǎn)化。缺點(diǎn)：控制算法與MOSFET的導(dǎo)通電阻有關(guān)； SR必須與主芯片匹配結(jié)合起來(lái)，它只能工作在非連續(xù)導(dǎo)通模式。MP321
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MP3302DD-LF-Z電源管理芯片該電路結(jié)構(gòu)N連接到過(guò)零檢測(cè)的地GND。在任何時(shí)候，L 到 GND (N) 都是交流輸入電壓。對(duì)于過(guò)零檢測(cè)電路，在正半周，三極管導(dǎo)通，Vzc為低；在負(fù)半周，三極管Vbe被鉗位在-0.7V，處于截止?fàn)顟B(tài)，Vzc為高電
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在小家電應(yīng)用中，很多情況下輸入是經(jīng)過(guò)半波整流的。為了通過(guò)浪涌，往往選擇二極管的耐壓比較大。一般兩個(gè)二極管1N4007串聯(lián)。以下兩種電路結(jié)構(gòu)常用串聯(lián)。第一種是 N 直接連接到 GND。第二種 N 和 GND 由一個(gè)二極管隔開(kāi)。這兩種結(jié)構(gòu)與過(guò)零檢測(cè)的成功
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