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能夠攜帶盡可能多的電子元件是其中一個方面。減小電子元件之間的距離還有另一種效果，那就是減小不同晶體管端子的電流容量，從而提高它們的開關(guān)頻率。因為當每個晶體管切換電子信號時，所消耗的動態(tài)功耗將與電流容量直接相關(guān)，這將加快運行速度并降低能耗。知道了這一點
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從目前的手機市場來看，大部分旗艦機型在處理器方面仍保持14nm和16nm制程，但在宣布三星10nm制程處理器年底準備量產(chǎn)之后，14nm和16nm顯然已經(jīng)過了全盛時期。例如，高通驍龍825、828和830處理器預(yù)計將采用10nm技術(shù)制造。高通825將采
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除了高通，聯(lián)發(fā)科旗下的Helio X系列芯片也在努力沖擊高端市場。年底，Helio X30將采用臺積電的10nm FinFET Plus工藝，并在第一季度2017年進行量產(chǎn)。三星的Exynos 8895預(yù)計將配備在明年的三星Galaxy S8之上，采
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對于廣大的國產(chǎn)手機來說，常用的處理器不外乎高通驍龍、聯(lián)發(fā)科和麒麟。以高通驍龍為例，回顧以往的產(chǎn)品，可以看到，從最初的驍龍430，逐步提升到驍龍625，再到驍龍652和650，最后到現(xiàn)在的驍龍820和821。其中，CPU架構(gòu)也在不斷改進，主頻從最高1.
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從最初的90nm，到后來的65nm、45nm、32nm，再到后來比較常見的28nm，逐漸增加到20nm，再到現(xiàn)在的16nm、14nm的更高性能配置，機身上也出現(xiàn)了少數(shù)10nm的制程。這個過程與我們的慣性思維不同，認為尺寸越大，功能越強。一、MP165
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有許多其他因素會損壞您的電源管理芯片，例如靜電保護是否到位，芯片存儲的濕度和溫度是否符合要求，芯片的焊接溫度是否過高等。為了提高燒入產(chǎn)量，有必要從多個方面進行工作。當然，不易引起注意的細節(jié)也不應(yīng)被忽視。一、MP1652GTF-Z電源管理芯片完整信息介
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