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半導體是一個靠技術取勝的產業(yè)，有創(chuàng)新和核心技術才有領導能力。因此，縮小中資半導體企業(yè)的技術缺口至關重要。半導體作為清潔、高端制造業(yè)，對中國產業(yè)結構轉型來說是一個非常利好的行業(yè)，也能促進中國行業(yè)創(chuàng)新，比如智能手機和平板電腦的創(chuàng)新。但建立一個成功的半導體企業(yè)需要多長時間?據悉，三星公司有3500個工程師專門從事在存儲器的設計和制造流程，這些人作為一個團隊一起工作了20年。

一、MP1907升降壓芯片功能說明

? 100V、2.5A 高頻半橋柵極驅動

? 驅動 N-通道 MOSFET 半橋

? 100V VBST 電壓范圍

? 輸入信號重疊保護

? 集成自舉二極管

? 20ns 的典型延遲

? 小于 5ns 的柵極驅動失配

? 12V VDD 時驅動 1nF 負載具有 15ns 的上升時間和 9ns 的下降時間

? TTL 可兼容輸入

? 靜態(tài)電流小于 150μA

? 關斷電流小于 5μA

? 用于高低兩端驅動電壓的欠壓鎖定保護

? 采用 3×3mm QFN10 封裝

二、NB650升降壓芯片功能說明

? 6A, 28V，高效同步降壓變換器，具有快速瞬態(tài)響應、2位 VID輸入以及OCP鎖存模式

? 寬工作輸入電壓范圍：4.5V 至 28V

? 輸出電流：6A

? 內部50mΩ上管、18m?下管功率MOSFET

? 專有開關損耗降低技術

? 參考電壓：1%

? 可調軟啟動時間

? 2位VID輸入